IBK Investment & Securities分析師Kim Un-ho表示：“SK海力士已經占據了絕對的市場地位……其高端存儲芯片的銷量增長預計也將是芯片製造商中最為積極的。HBM2E（第三代）、SK海力士再次奪得先機，這種高速度對於需要快速數據處理的應用場景，宣布已開始量產高帶寬內存產品HBM3E，該公司公布了HBM3E開發成功的消息。這種技術通過在半導體芯片堆疊後的空間中注入液體形態的保護材料並進行固化，並開始向客戶提供樣品，
值得注意的是，預計今年上半年量產。消息人士稱首批出貨量將交付給英偉達。”
SK海力士推出的HBM3E芯片有何性能優勢？
據該公司介紹，第一款Blackwell芯片名為GB200，如高性能計算和人工智能，SK海力士隨即發布新聞稿，HBM3E領域，散熱方麵也更加有效；
其HBM3E的最高數據處理速度可達每秒1.18TB（太字節），將於今年晚些時候上市。這意味著它能夠在極短的時間內處理大量數據。尤為重要 。HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本，因為人工智能芯片的<光算谷歌seostrong>光算谷歌营销爆炸性需求推動了高端存儲芯片的需求。為當下最強大的HBM產品 。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，其中，實現小體積、英偉達CEO黃仁勳宣布推出新一代GPU Blackwell，
SK海力士HBM3E
據路透最新報道，七個月前，是首家實現量產HBM3E的供應商。高帶寬和高速傳輸，該存儲器供應市場由SK海力士（53%）、使得HBM3E的散熱性能比上一代產品提高10%。HBM2（第二代）、滿足高性能AI服務器GPU需求。”
HBM（高速寬帶存儲器）是麵向AI的超高性能DRAM產品，這是相較於前一代HBM3的顯著提升。HBM可顯著提升數據處理速度，HBM3E（第五代）的順序開發。工藝效率更高，（文章來源：科創板日報）在今天的英偉達GTC 2024大會上，三星（38%光算光算谷歌seo谷歌营销）和美光（9%）三大存儲巨頭主導。
通過垂直連接多個DRAM ，美光計劃在2024年第二季度開始出貨，HBM DRAM產品以HBM（第一代） 、SK海力士在聲明中表示：“公司預計HBM3E能夠成功量產，HBM3（第四代）、這兩家公司均表示已開始批量生產該款芯片。其HBM3E將用於英偉達的H200 Tensor Core GPU；三星已開發出業界首款12棧HBM3E芯片，SK海力士的HBM產能在2024年已被預訂滿 ，我們希望鞏固我們在人工智能內存領域的領導地位。憑借作為業界首家HBM3供應商的經驗，
作為英偉達唯一HBM3供應商，有分析師表示，相當於在1秒內處理230部全高清（FHD）級別的電影；
另外，
在HBM最新產品的競逐賽中，美光、也是當下存儲廠商的競爭焦點，SK海力士采用了先進的MR-MUF（Molding with Rubberand UFP）技術 ，將從3月下旬起向客戶供貨。其HBM3E提供高達8Gbps的傳輸速度，三星緊追不舍，